數(shù)碼管的選型

數(shù)碼管的選型一般是按照客戶的圖紙進(jìn)行開(kāi)模設(shè)計(jì)的，主要包括數(shù)碼管的顏色，尺寸，大小，圖案，發(fā)光顏色，位數(shù)，電路要求進(jìn)行設(shè)計(jì)的。
 

晶振選型

晶振的選型主要考慮以下參數(shù)：

1、規(guī)格頻率：晶振成品生產(chǎn)出規(guī)定的頻率，通常標(biāo)識(shí)在晶振產(chǎn)品外殼上。      

2、晶振工作頻率：晶振與工作電路共同產(chǎn)生的頻率。      

3、調(diào)整頻差偏差：在規(guī)定條件下，基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率相對(duì)于標(biāo)稱頻率所允許的偏差。      

4、溫度頻差：在規(guī)定條件下，在工作溫度范圍內(nèi)相對(duì)于基準(zhǔn)溫度（25±2℃）時(shí)工作頻率的允許偏差。      

5、老化率：在規(guī)定條件下，晶體工作頻率隨時(shí)間而允許的相對(duì)變化。以年為時(shí)間單位衡量時(shí)稱為年老化率。      

6、靜電容：等效電路中與串聯(lián)臂并接的電容，也叫并電容，通常用C0表示。      

7、負(fù)載電容：與晶體一起決定負(fù)載諧振頻率fL的有效外界電容，通常用CL表示。 負(fù)載電容系列是：8PF、12PF、15PF、20PF、30PF、50PF、100PF。  只要可能就應(yīng)選推薦值：10PF、20PF、30PF、50PF、100PF。      

8、負(fù)載諧振頻率（fL）：在規(guī)定條件下，晶體與一負(fù)載電容相串聯(lián)或相并聯(lián)，其組合阻抗呈現(xiàn)為電阻性時(shí)的兩個(gè)頻率中的一個(gè)頻率。在串聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，負(fù)載諧振頻率是兩個(gè)頻率中較低的一個(gè)，在并聯(lián)負(fù)載電容時(shí)，則是兩個(gè)頻率中較高的一個(gè)。      

9、動(dòng)態(tài)電阻：串聯(lián)諧振頻率下的等效電阻。用R1表示。      

10、負(fù)載諧振電阻：在負(fù)載諧振頻率時(shí)呈現(xiàn)的等效電阻。用RL表示。RL＝R1（1+C0/CL）2激勵(lì)電平可選值有：2mW、1mW、0.5mW 、0.2mW、0.1mW、50μW、20μW、10μW、1μW、0.1μW等